如何采用電流傳感器實(shí)現干擾*小化
如何采用電流傳感器實(shí)現干擾*小化,你知道嗎?下面就一起來(lái)看看吧!
如何采用電流傳感器實(shí)現干擾*小化
簡(jiǎn)介
Allegro MicroSystems電流傳感器IC可以分為三大類(lèi):需要外部磁芯的傳感器、具有封裝內置磁芯的傳感器,以及具有集成載流環(huán)(但無(wú)磁芯)的傳感器。*后一類(lèi)就是具有共模場(chǎng)抑制(CMR)功能的傳感器。本文將探討CMR的機制,并重點(diǎn)介紹如何充分利用此機制來(lái)優(yōu)化電路板設計和布局。
背景
在使用集成載流環(huán)的IC中,載流環(huán)可以產(chǎn)生IC能測量的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)通過(guò)霍爾效應轉換成電壓。此霍爾電壓正比于電流大小和方向。圖1是特定電流傳感器IC引線(xiàn)框產(chǎn)生磁場(chǎng)的示例。在該圖中,箭頭指示通過(guò)引線(xiàn)框的電流,彩**表示100A直流電通過(guò)傳感器時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)。
使用配備集成載流環(huán)的IC具有很多優(yōu)勢:無(wú)需磁芯、基本沒(méi)有磁滯、功率低、并且具有較高的溫度**度。但是,由于不存在磁芯,傳感器容易受到磁體或傳感器IC周?chē)鷮Ь€(xiàn)電流產(chǎn)生的雜散磁場(chǎng)的影響。為了抑制雜散磁場(chǎng)的出現,Allegro的很多電流傳感器都具有雙霍爾共模抑制方案?;魻柊宓牟贾梅绞揭_保當電流通過(guò)IC集成導體或載流環(huán)時(shí),每個(gè)霍爾板感應的場(chǎng)極性相反。
采用CMR技術(shù)的基本原理是:如果兩個(gè)霍爾板的信號相減,然后可以將集成環(huán)引發(fā)的信號求和,這樣就可以抑制來(lái)自進(jìn)入IC的任何雜散磁場(chǎng)共模(單極)信號。
簡(jiǎn)單舉例,假定每個(gè)霍爾板的磁場(chǎng)±B大小相等,方向相反,則:
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B – B2 = B – (–B)
B – (–B) = 2 × B
因此,
H1 – H2 ∝ 2 × B
假定兩個(gè)霍爾板上具有相等的雜散磁場(chǎng)Bext,則:
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B1 – B2 = (B + Bext ) – (–B + Bext)
(B + Bext ) – (–B + Bext ) = 2 × B + Bext – Bext
2 × B + Bext – Bext = 2 × B
因此,
H1 – H2 ∝ 2 × B
Allego的其它技術(shù)資料《無(wú)磁芯霍爾效應電流傳感器IC采用的共模場(chǎng)抑制技術(shù)》更詳細地介紹了CMR技術(shù)的理論和指導方程。本文介紹的主要技術(shù)是如何設計和布置這些電流傳感器IC的載流線(xiàn)路。此外,本文也提供了*小化其他雜散來(lái)源的指南。
以上就是關(guān)于如何采用電流傳感器實(shí)現干擾*小化的詳細介紹,相信大家也都知道了,希望可以幫到大家!
如何采用電流傳感器實(shí)現干擾*小化
簡(jiǎn)介
Allegro MicroSystems電流傳感器IC可以分為三大類(lèi):需要外部磁芯的傳感器、具有封裝內置磁芯的傳感器,以及具有集成載流環(huán)(但無(wú)磁芯)的傳感器。*后一類(lèi)就是具有共模場(chǎng)抑制(CMR)功能的傳感器。本文將探討CMR的機制,并重點(diǎn)介紹如何充分利用此機制來(lái)優(yōu)化電路板設計和布局。
背景
在使用集成載流環(huán)的IC中,載流環(huán)可以產(chǎn)生IC能測量的磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)通過(guò)霍爾效應轉換成電壓。此霍爾電壓正比于電流大小和方向。圖1是特定電流傳感器IC引線(xiàn)框產(chǎn)生磁場(chǎng)的示例。在該圖中,箭頭指示通過(guò)引線(xiàn)框的電流,彩**表示100A直流電通過(guò)傳感器時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)。
使用配備集成載流環(huán)的IC具有很多優(yōu)勢:無(wú)需磁芯、基本沒(méi)有磁滯、功率低、并且具有較高的溫度**度。但是,由于不存在磁芯,傳感器容易受到磁體或傳感器IC周?chē)鷮Ь€(xiàn)電流產(chǎn)生的雜散磁場(chǎng)的影響。為了抑制雜散磁場(chǎng)的出現,Allegro的很多電流傳感器都具有雙霍爾共模抑制方案?;魻柊宓牟贾梅绞揭_保當電流通過(guò)IC集成導體或載流環(huán)時(shí),每個(gè)霍爾板感應的場(chǎng)極性相反。
采用CMR技術(shù)的基本原理是:如果兩個(gè)霍爾板的信號相減,然后可以將集成環(huán)引發(fā)的信號求和,這樣就可以抑制來(lái)自進(jìn)入IC的任何雜散磁場(chǎng)共模(單極)信號。
簡(jiǎn)單舉例,假定每個(gè)霍爾板的磁場(chǎng)±B大小相等,方向相反,則:
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B – B2 = B – (–B)
B – (–B) = 2 × B
因此,
H1 – H2 ∝ 2 × B
假定兩個(gè)霍爾板上具有相等的雜散磁場(chǎng)Bext,則:
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B1 – B2 = (B + Bext ) – (–B + Bext)
(B + Bext ) – (–B + Bext ) = 2 × B + Bext – Bext
2 × B + Bext – Bext = 2 × B
因此,
H1 – H2 ∝ 2 × B
Allego的其它技術(shù)資料《無(wú)磁芯霍爾效應電流傳感器IC采用的共模場(chǎng)抑制技術(shù)》更詳細地介紹了CMR技術(shù)的理論和指導方程。本文介紹的主要技術(shù)是如何設計和布置這些電流傳感器IC的載流線(xiàn)路。此外,本文也提供了*小化其他雜散來(lái)源的指南。
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